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墨記 ? 來源(yuan)︰電子發燒友網 ? 作者︰張慧娟 ? 2020-03-31 21:19 ? 次(ci)閱讀
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抗(kang)擊疫情的硬仗還沒打完(wan),疫後(hou)重建(jian)的硬仗已經打響了,動力就是“新基(ji)建(jian)”bo)J裁詞恰靶祿ji)建(jian)”?覆蓋7大領域(yu)︰5G基(ji)建(jian)、特高壓、城際(ji)高鐵和城際(ji)軌道交通、新能(neng)源(yuan)汽車充電樁、大數據中(zhong)xing)摹?斯?悄neng)、工業(ye)互(hu)聯網。

事實上,“新基(ji)建(jian)”並不是一個新概念(nian),早在2018年底召開(kai)的中(zhong)央經濟工作會議上就明確了5G、人工智能(neng)、工業(ye)互(hu)聯網、物聯網等“新型基(ji)礎(chu)設(she)施建(jian)設(she)”的定(ding)位,隨後(hou)“加強(qiang)新一代信息(xi)基(ji)礎(chu)設(she)施建(jian)設(she)”被列入(ru)2019年政府工作報告。2020年開(kai)年的首zhuang)」wu)院常務(wu)會議也明確提(ti)出,大力發展先進制造業(ye),出台(tai)信息(xi)網絡等新型基(ji)礎(chu)設(she)施投(tou)資shou)?終ce),推ping)悄neng)、綠色制造。
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數字經濟的發展離不開(kai)5G、大數據、人工智能(neng)、雲計算等新技(ji)ji)醯鬧?擰U廡xie)既是基(ji)礎(chu)設(she)施,又是qie)灤瞬ye),一頭連(lian)著巨大的投(tou)資與需(xu)求(qiu),一頭牽著不huan)仙兜南咽諧。 亟 晌 zhong)國經濟mi)齔?男亂妗h3>七大“新基(ji)建(jian)”背(bei)後(hou)的半導體機會過去的一年,受(shou)全(quan)球貿易(yi)波動、半導體終端產品跌價、智能(neng)手(shou)機銷量逐漸飽和等因素的影響,半導體行(xing)業(ye)僅出現微弱增長,一些(xie)細分領域(yu)甚至出現負增長。但(dan)是,2020年半導體整體大環境將出現轉(zhuan)機,5G、新能(neng)源(yuan)汽車、大數據、人工智能(neng)等七大“新基(ji)建(jian)”,將為半導體行(xing)業(ye)的復甦帶(dai)來轉(zhuan)機。
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首先看5G基(ji)建(jian)。自 2019 年工信部 5G 商用啟動以來,三大運營商在全(quan)國的基(ji)站建(jian)設(she)腳步不huan)霞涌 =矗 zhong)國移動表示今年建(jian)設(she)30萬個5G基(ji)站的na)勘瓴槐洌 zhong)國聯通和中(zhong)國電信將力爭前(qian)三季度完(wan)成全(quan)年25萬基(ji)站的建(jian)設(she)目標。業(ye)界(jie)預(yu)測,2020年我(wo)國建(jian)設(she)5G基(ji)站70萬座,2024年共建(jian)設(she)554萬座。對(dui)半導體行(xing)業(ye)來說,除了5G通信網絡的建(jian)設(she)為其帶(dai)來了大量的中(zhong)下游的新增需(xu)求(qiu)之外,也成為2020年半導體市場回暖的主(zhu)要動力。
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5G終端市場方面,多(duo)類型終端形態的持zhong)xu)推出有利于打造5G全(quan)場景新生態,終端song)璞甘諧」gui)模今年將出現zhong)亂宦衷齔?8萑瞎宋誓瓿醯腦yu)測,隨著終端市場的進一步打開(kai),5G基(ji)帶(dai)芯片和射頻芯片等關(guan)鍵元(yuan)器件的需(xu)求(qiu)將大幅上升。細分環節(jie)方面,為降低終端體積(ji)、改(gai)善(shan)終端功耗,5G終端基(ji)帶(dai)芯片將持zhong)xu)向高集成度的SoC芯片方向發展;在央地聯動的政策(ce)引導與鼓勵(li)下,華為海思、紫光展銳、卓(zhuo)勝(sheng)微、中(zhong)xing)宋 繾擁裙na)企業(ye)有望切(qie)入(ru)中(zhong)高端song)淦敵酒  yu)。
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工業(ye)互(hu)聯網的驅(qu)動力也不容(rong)忽視,它與5G更像是“你中(zhong)有我(wo),我(wo)yi)杏心恪鋇淖刺 2煌 G時代之前(qian)以人為本的路(lu)線,5G最(zui)根本的區別就在于工業(ye)場景。5G、邊緣計算、大數據、超高清視頻、AR/VR等ren)冉ji)ji)跤型詮?ye)領域(yu)融合(he)發展。工業(ye)和信息(xi)化部部長苗圩(xu)就曾指出,未(wei)來80%的5G應用場景會在工業(ye)互(hu)聯網。不過,在這個巨大的市場機遇(yu)面前(qian),國內(na)半導體廠(chang)商在處理器、傳感(gan)器、微控制器、通信芯片和功率半導體等qun)誦鈉骷矯嬡災zhu)要集中(zhong)在中(zhong)低tou)聳諧。 D廡酒 矯婕負醣還ji)巨頭壟斷,這是既須正視的現實,也是努力的方向。
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大數據中(zhong)xing)摹?斯?悄neng),這兩個動因將對(dui)半導體產業(ye)帶(dai)來密(mi)不可分zhi)撓跋/strong>。大數據中(zhong)xing)牡慕jian)設(she),將加大對(dui)服務(wu)器、存儲設(she)備、網絡設(she)備、安全(quan)設(she)備、光模塊等需(xu)求(qiu)。基(ji)礎(chu)半導體存儲技(ji)ji)跣xu)要加速創(chuang)新,特別是NAND和DRAM的可擴展性。存儲器生產和消費之間(jian)的差距、降低tou)dui)國外存儲器件的依lan)怠 灤擻τ玫拇媧 xu)求(qiu)等,都需(xu)要政府與企業(ye)凝力推ping)  亂淮媧 ji)ji)醯姆 棺齪hao)準(zhun)備。
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人工智能(neng)涉及(ji)大量的數據處理任(ren)務(wu),對(dui)于算力的巨大需(xu)求(qiu),引爆了國內(na)半導體創(chuang)業(ye)熱(re)潮的同時bi)泊dai)來新一輪彎道超車的機遇(yu)。相較于CPU一枝獨秀(xiu)的na)甏 kai)放的研究生態,多(duo)樣化的技(ji)ji)趼lu)線,CPU、GPUFPGAASIC、類腦芯片等共同推動著AI算力的架構創(chuang)新。值(zhi)得一提(ti)的是,5G、IoT與AI在邊緣、端側的融合(he)發展,將進一步推ping) 低評 氳繼逍酒 諧」gui)模的增長。該市場未(wei)來的競爭將更加激烈,除了計算芯片本身,在軟(ruan)件工具、制程封裝(zhuang)、存儲、互(hu)聯、安全(quan)等方面,全(quan)棧式的na)芰  淶迷(mi)嚼叢街匾 3撕K肌 瞎庹谷瘛 zhong)xing)俏 廡xie)資深(shen)玩家(jia),造芯新勢力也在迅速崛(jue)起,甚至不乏阿里、百度、格力、比亞(ya)迪這樣的跨界(jie)選手(shou)。
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人工智能(neng)也在推動先進制程的加速演進。據IBS預(yu)測,到2025年,全(quan)球10nm/7nm 制程 (gui)晶圓代工出貨量將達(da)220萬片,相比目前(qian)翻了一番。為滿足各類AI創(chuang)新應用、海量數據傳輸(shu),以yue)八惴ㄑ萁xu)求(qiu),芯片效能(neng)在不huan)咸ti)高的同時,還必須降低成本,極紫外光(EUV)等技(ji)ji)蹺wei)來將扮演更為關(guan)鍵的角色。
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特高壓、城際(ji)交通、新能(neng)源(yuan)汽車的發展,無疑將共同驅(qu)動第(di)三代功率半導體的加速發展。在傳統電網的升級、高速列車、新能(neng)源(yuan)汽車的核心動力系統中(zhong),我(wo)國發展第(di)三代半導體得到了國家(jia)政策(ce)的支持,是我(wo)國實現產業(ye)戰略升級和低碳經濟的重要途(tu)徑,將SiC等第(di)三代半導體材料(liao)器件用于電機驅(qu)動等環節(jie)將大幅提(ti)高功率密(mi)度並降低整體成本。迄今為止,我(wo)國已有四條4/6英寸SiC生產/中(zhong)試(shi)線和三條GaN生產/中(zhong)試(shi)線相繼投(tou)入(ru)使用,並在建(jian)多(duo)個與第(di)三代半導體相關(guan)的研發中(zhong)試(shi)平(ping)台(tai)。國產化的單晶襯底、外延片所佔ji)諧》荻畈歡(huan)俠┐螅  iC二(er)極管MOSFET開(kai)始進入(ru)市場。不過,在頭部廠(chang)商取得成績(ji)的背(bei)後(hou),我(wo)國整體實力和產業(ye)化能(neng)力的提(ti)升,有待進一步加強(qiang)。

如何(he)看chuang)靶祿ji)建(jian)”對(dui)半導體的拉動效應?

如何(he)看chuang)靶祿ji)建(jian)”的驅(qu)動效應?筆(bi)者認(ren)為,除了對(dui)經濟的拉動作用,“新基(ji)建(jian)”給了中(zhong)國硬科技(ji)創(chuang)新更大的發揮空間(jian),從底層(ceng)基(ji)礎(chu)技(ji)ji)踔?派轄 su)造新的國際(ji)競爭優勢。
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今年是全(quan)面建(jian)成小康社會和“十三五”規(gui)劃收官之年,要努力實現全(quan)年經濟社會發展目標任(ren)務(wu),必須發揮好(hao)有xing) tou)資關(guan)鍵作用。從拉動經濟mi)齔?xu)求(qiu)而言,七大“新基(ji)建(jian)”bi)票匾 羝鶇罅骸4右 楸  岳矗 斯?悄neng)、大數據、5G等都jia)遜 映齷ji)極的作用,有望在疫情刺激下加速推ping)br />?
那麼,又該如何(he)看chuang)靶祿ji)建(jian)”對(dui)我(wo)國半導體產業(ye)的影響?作為關(guan)鍵核心技(ji)ji)踔?牛 環矯媯 祿ji)建(jian)將帶(dai)來chuang)罅啃略魴xu)求(qiu)。同時,基(ji)于自主(zhu)可控的要求(qiu),“新基(ji)建(jian)”有望引導jia)夜氳繼?ye)進入(ru)新一輪發展周期。
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2020年,國產替代會繼續(xu)成為國內(na)半導體產業(ye)發展的主(zhu)線,且yi)韉計笠ye)可能(neng)從華為等代表企業(ye)擴大到更多(duo)的國產系統廠(chang)商,實現替代的產品也將從中(zhong)低tou)松(song)兜醬媧  D狻?淦檔雀duo)戰略yue)鍛ㄓ沒蚋duo)量大面廣的高端產品上。
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其次(ci),除了半導體設(she)計環節(jie),加速建(jian)立(li)完(wan)整、獨立(li)自主(zhu)核心技(ji)ji)醯墓氳繼騫?ye)體系是大勢所趨,需(xu)要代工、封裝(zhuang)、測試(shi)以yue)芭涮tao)設(she)備、材料(liao)等更多(duo)環節(jie)的協同發展。

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智能(neng)交通設(she)施︰給交通系統安��cai)稀把邸薄(bo)岸��er)”��bo)氨恰薄(bo)翱 �� /> </a></div><div class=

今年年底我(wo)國將有望建(jian)設(she)超過60萬個5G基(ji)站

5G產業(ye)生態逐步成熟(shu)。截(jie)至2020年03月31日(ri),我(wo)國5G手(shou)機產品fang)嘈6款,累計出貨量超過2600萬....
發表于 04-01 09:41 ? 17次(ci) 閱讀
今年年底我(wo)國將有望建(jian)設(she)超過60萬個5G基(ji)站

全(quan)球服務(wu)器市場正在迎來一個新的高增長時代

根據Gartner數據顯示,2019年四季度re) 86服務(wu)器出貨量和廠(chang)商銷售額分zhi)鷂86.4萬台(tai)和....
發表于 04-01 09:37 ? 15次(ci) 閱讀
全(quan)球服務(wu)器市場正在迎來一個新的高增長時代

中(zhong)國廣電在700MHz頻譜上將至少獲得30MHz×2的頻譜資shi)yuan)

筆(bi)者了解到,在中(zhong)國廣電700MHz大帶(dai)寬提(ti)案尚未(wei)正式成為5G國際(ji)標準(zhun)之前(qian),700MHz作為“黃ping)jin)頻段....
發表于 04-01 09:30 ? 23次(ci) 閱讀
中(zhong)國廣電在700MHz頻譜上將至少獲得30MHz×2的頻譜資��shi)��yuan)

中(zhong)國聯通正式推出了5G新文(wen)創(chuang)雲平(ping)台(tai)

依托5G全(quan)新網絡架構及(ji)高速連(lian)接能(neng)力基(ji)礎(chu),5G新文(wen)創(chuang)雲平(ping)台(tai)融合(he)了中(zhong)國聯通雲、網、邊、端、業(ye)五大優勢pi) zhen)....
發表于 04-01 09:27 ? 16次(ci) 閱讀
中(zhong)國聯通正式推出了5G新文(wen)創(chuang)雲平(ping)台(tai)

www.bn88.cc【逢八就送】www.6611f.cc福建(jian)省將加快培(pei)育5G+工業(ye)互(hu)聯網的典型應用場景

《措(cuo)施》圍(wei)繞加快新型信息(xi)基(ji)礎(chu)設(she)施建(jian)設(she)、大力培(pei)育壯(zhuang)大市場主(zhu)體、積(ji)極培(pei)育新業(ye)態新模式、加大金(jin)融支持力度、....
發表于 04-01 09:23 ? 88次(ci) 閱讀
福建(jian)省將加快培(pei)育5G+工業(ye)互(hu)聯網的典型應用場景

www.6218a.com【实力雄厚】www.55191.am工信部發布(bu)了關(guan)于推動5G加快發展的通知(zhi)

《通知(zhi)》提(ti)出了18項舉措(cuo),這些(xie)舉措(cuo)涵蓋五大類,包括加快5G網絡建(jian)設(she)部署、豐富5G技(ji)ji)跤τ貿【啊 中(zhong)xu)加....
發表于 04-01 09:21 ? 19次(ci) 閱讀
工信部發布(bu)了關(guan)于推動5G加快發展的通知(zhi)

中(zhong)國移動香(xiang)港正式推出5G服務(wu) 已在香(xiang)港建(jian)成並開(kai)通500個5G基(ji)站

3月31日(ri),中(zhong)國移動香(xiang)港公司(si)在香(xiang)港中(zhong)環旗(qi)艦店舉行(xing)5G商用啟動儀式,將于4月1日(ri)凌晨正式推出5G服務(wu)。....
發表于 04-01 09:11 ? 25次(ci) 閱讀
中(zhong)國移動香(xiang)港正式推出5G服務(wu) 已在香(xiang)港建(jian)成並開(kai)通500個5G基(ji)站

中(zhong)國移動香(xiang)港公司(si)正式推出了5G服務(wu)

目前(qian),中(zhong)國移動香(xiang)港公司(si)5G網絡在地區覆蓋、網絡速度及(ji)漫游服務(wu)方面均(jun)在香(xiang)港業(ye)內(na)領先。地區覆蓋qian)矯媯 捉...
發表于 04-01 09:11 ? 16次(ci) 閱讀
中(zhong)國移動香(xiang)港公司(si)正式推出了5G服務(wu)

我(wo)國正式上線了一款工業(ye)互(hu)聯網領域(yu)重要的網絡媒體平(ping)台(tai)

工業(ye)互(hu)聯網是第(di)四次(ci)工業(ye)革命(ming)的重要基(ji)石。當(dang)前(qian),新一輪科技(ji)革命(ming)和產業(ye)dang)涓錙畈 似穡 ?ye)經濟數字化、網絡化....
發表于 04-01 09:07 ? 10次(ci) 閱讀
我(wo)國正式上線了一款工業(ye)互(hu)聯網領域(yu)重要的網絡媒體平(ping)台(tai)

5G與WIFI6的關(guan)系如何(he),是競爭還gu)腔hu)補

5G和WiFi 6都ji)俏尷嘸ji)ji)  際(ji)褂迷(mi)諼尷呱she)備上,但(dan)兩者的分zhi)鵓褪且貧 ㄐ龐iFi,也就是手(shou)機上....
的頭像 獨愛72H 發表于 03-31 20:38 ? 302次(ci) 閱讀
5G與WIFI6的關(guan)系如何(he),是競爭還��gu)腔��hu)補

WiFi6技(ji)ji)躒ri)益火爆,它能(neng)否(fu)與5G分庭抗(kang)禮

WiFi6簡單來說,就是第(di)六代無線網絡技(ji)ji)  i-Fi聯盟創(chuang)建(jian)于IEEE802.11標準(zhun)的無線局zhong)yu)....
的頭像 獨愛72H 發表于 03-31 20:34 ? 299次(ci) 閱讀
WiFi6技(ji)��ji)躒��ri)益火爆,它能(neng)否(fu)與5G分庭抗(kang)禮

預(yu)計半導體行(xing)業(ye)降幅-66.5%,三星電子營業(ye)利潤(run)將逆勢增長

金(jin)融信息(xi)公司(si)Fn Guide于3月30日(ri)表示,對(dui)88家(jia)KOSPI上市公司(si)的第(di)一季度營業(ye)利潤(run)預(yu)測進行(xing)了....
的頭像 牽手(shou)一起夢 發表于 03-31 17:31 ? 273次(ci) 閱讀
預(yu)計半導體行(xing)業(ye)降幅-66.5%,三星電子營業(ye)利潤(run)將逆勢增長

華為最(zui)新年報︰2019年全(quan)球銷售收入(ru)8588億元(yuan)人民幣(bi),同比增長19.1%

盡管2019年全(quan)球經濟mi)齔?嘔huan)、整體呈疲(pi)弱態勢pi)   員3至甦寰  wen)健,全(quan)球實現銷售收入(ru)8588億....
的頭像 牽手(shou)一起夢 發表于 03-31 17:27 ? 313次(ci) 閱讀
華為最(zui)新年報︰2019年全(quan)球銷售收入(ru)8588億元(yuan)人民幣(bi),同比增長19.1%

DARPA表示增強(qiang)5G網絡安全(quan)性至關(guan)重要

新興的5G移動無線網絡技(ji)ji)跤型詮gui)模和速度上大大提(ti)高,從而能(neng)夠更快地訪問從數十億個已連(lian)接設(she)備中(zhong)收集的....
的頭像 汽車玩家(jia) 發表于 03-31 17:04 ? 268次(ci) 閱讀
DARPA表示增強(qiang)5G網絡安全(quan)性至關(guan)重要

榮耀30S掀起5G手(shou)機購買狂潮,加速整個中(zhong)國市場5G的發展

榮耀昨晚(wan)以線上雲發布(bu)的形式正式發布(bu)榮耀30系列首zhuo)畈啡僖0S,搭載麒麟8系列首zhuo)G SoC芯片....
的頭像 牽手(shou)一起夢 發表于 03-31 17:00 ? 277次(ci) 閱讀
榮耀30S掀起5G手(shou)機購買狂潮,加速整個中(zhong)國市場5G的發展

北京(jing)電信攜手(shou)華為完(wan)成5G 300M商用驗證,加速2B與5G網絡的有機結合(he)

北京(jing)電信攜手(shou)華為創(chuang)造5G室內(na)口碑場景的網絡新價值(zhi)近日(ri),北京(jing)電信攜手(shou)華為在超高清視頻(北京(jing))制作技(ji)ji)跣...
的頭像 牽手(shou)一起夢 發表于 03-31 16:55 ? 208次(ci) 閱讀
北京(jing)電信攜手(shou)華為完(wan)成5G 300M商用驗證,加速2B與5G網絡的有機結合(he)

www.4137.com【即存即送】www.qt00.com華為拿下中(zhong)國移動5G基(ji)站集采(cai)近六成份額 2019年華為業(ye)績(ji)增長達(da)19.1%

3月31日(ri),對(dui)華為來說,有兩個重大消息(xi)發布(bu)。第(di)一、中(zhong)國移動公示了28家(jia)分公司(si)的5G無線主(zhu)設(she)備二(er)期中(zhong)標....
的頭像 章鷹 發表于 03-31 16:52 ? 1032次(ci) 閱讀
華為拿下中(zhong)國移動5G基(ji)站集采(cai)近六成份額 2019年華為業(ye)績(ji)增長達(da)19.1%

壓鑄模溫(wen)機的作用是什麼,在基(ji)站產品中(zhong)有哪(na)些(xie)應用

2019年中(zhong)國工信部ken)蛩拇笤擻 陶椒 G商用牌照,,標志著中(zhong)國5G進入(ru)商用mi)yuan)年,5G將在全(quan)球撬開(kai)....
的頭像 牽手(shou)一起夢 發表于 03-31 16:50 ? 230次(ci) 閱讀
壓鑄模溫(wen)機的作用是什麼,在基(ji)站產品中(zhong)有哪(na)些(xie)應用

華為2019年年度報告 全(quan)球銷售收入(ru)同比增長19.1%

3月31日(ri),華為發布(bu)2019年年度報告,報告顯示,華為實現全(quan)球銷售收入(ru)8,588億元(yuan)人民幣(bi),同比增長....
的頭像 汽車玩家(jia) 發表于 03-31 16:40 ? 158次(ci) 閱讀
華為2019年年度報告 全(quan)球銷售收入(ru)同比增長19.1%

www.9929.com【实力雄厚】www.918.com微信半導體群(qun)

轉(zhuan)眼間(jian)2020年已經過去一個季度了,冬天說走就走,春天也沒停留(liu)。各行(xing)各業(ye)的工作多(duo)多(duo)少少都ji)艿揭 橛跋 G那牡匚室瘓洌 nin)的事業(ye)...
發表于 03-28 12:16 ? 237次(ci) 閱讀
微信半導體群(qun)

請問shi)趺吹? 趺純?瓢氳繼迤 牡緦鞣較潁/a>

畢(bi)業(ye)設(she)計的要求(qiu)是用單片機設(she)計一個溫(wen)度測量電路(lu),通過測量得到的溫(wen)度re)??瓢氳繼迤 牡緦鞣較潁 佣da)到控制兩面的溫(wen)度!這個要...
發表于 03-25 00:26 ? 33次(ci) 閱讀
請問��shi)趺吹? ��趺純?瓢氳繼迤 牡緦鞣較潁�� /> </a></div><div class=

大數據實時分析領域(yu)的ClickHouse

ClickHouse大數據實時分析領域(yu)的黑馬
發表于 03-24 11:09 ? 59次(ci) 閱讀
大數據實時分析領域(yu)的ClickHouse

www.408.net【逢八就送】www.557.com【戰疫專題】第(di)五期︰智慧物流,疫情之中(zhong)顯擔當(dang)

2020年,新型冠狀病毒(du)席卷了整個中(zhong)國,同時bi)蒼詿chun)進著產業(ye)的變革與生活變化。電子發燒友在此期間(jian)推出【戰疫專題】活動,持zhong)xu)為...
發表于 03-18 11:00 ? 2004次(ci) 閱讀
【戰疫專題】第(di)五期︰智慧物流,疫情之中(zhong)顯擔當(dang)

人工智能(neng)、數據挖掘(jue)、機器學習和深(shen)度學習的關(guan)系

人工智能(neng)、數據挖掘(jue)、機器學習和深(shen)度學習之間(jian),主(zhu)要有什麼chui)guan)系?...
發表于 03-16 11:35 ? 79次(ci) 閱讀
人工智能(neng)、數據挖掘(jue)、機器學習和深(shen)度學習的關(guan)系

人工智能(neng)偵查(cha)有哪(na)些(xie)應用

【人工智能(neng)偵查(cha)的應用領域(yu)】
發表于 03-16 11:28 ? 65次(ci) 閱讀
人工智能(neng)偵查(cha)有哪(na)些(xie)應用

半導體泵浦激光器有什麼優點?

半導體泵浦固體激光器的種類很多(duo),可以是連(lian)續(xu)的、脈沖的、調Q的,以yue)凹穎鍍禱炱檔確竅 宰zhuan)換的。工作物質的形狀有圓柱和板(ban)條狀...
發表于 03-10 09:03 ? 116次(ci) 閱讀
半導體泵浦激光器有什麼優點?

人工智能(neng)+邊緣計算!米爾NXP工業(ye)級物聯網板(ban)卡8M mini資料(liao)分享

響應行(xing)業(ye)應用和滿足客戶(hu)需(xu)求(qiu),米爾推出了基(ji)于NXP公司(si)i.MX 8M Mini系列xing)酒 YC-C8MMX系列核心板(ban)及(ji)開(kai)發板(ban),現已隆...
發表于 03-06 11:44 ? 616次(ci) 閱讀
人工智能(neng)+邊緣計算!米爾NXP工業(ye)級物聯網板(ban)卡8M mini資料(liao)分享

紅(hong)外傳感(gan)+人工智能(neng),智能(neng)機器人紅(hong)外發送接收電路(lu)解析

該移動音樂機器人以za) 閃6 位單片機XE162FN 處理器為核心,英飛凌開(kai)發的16/32 位微控制器具有高度ren)低臣 傘??xu)外設(she)附加器...
發表于 02-28 07:00 ? 552次(ci) 閱讀
紅(hong)外傳感(gan)+人工智能(neng),智能(neng)機器人紅(hong)外發送接收電路(lu)解析

半導體制造企業(ye)未(wei)來分析

半導體產業(ye)經歷了2019年的低迷(mi),但(dan)其在2020年的潛力卻被huan)芏duo)業(ye)內(na)人士看好(hao)。摩根大通分析師Harlan Sur在其于去年年底發布(bu)的一則...
發表于 02-27 10:42 ? 346次(ci) 閱讀
半導體制造企業(ye)未(wei)來分析

LM324LV 4 通道行(xing)業(ye)dang)曜zhun)低電壓運算放大器

LM3xxLV系列包括單個LM321LV,雙LM358LV和四個LM324LVoperational放大器或運算放大器。這些(xie)器件采(cai)用2.7 V至5.5 V的低電壓工作。 這些(xie)運算放大器是LM321,LM358和LM324的替代產品,適用于對(dui)成本敏感(gan)的低電壓應用。一些(xie)應用是大型電器,煙(yan)霧探測器和個人電子產品。 LM3xxLV器件在低電壓下提(ti)供比LM3xx器件更好(hao)的性能(neng),並且功耗更低。運算放大器在單位增益下穩(wen)定(ding),在過驅(qu)動條件下不會反相。 ESD設(she)計為LM3xxLV系列提(ti)供了至少2 kV的HBM規(gui)格。 LM3xxLV系列提(ti)供具有xing)幸ye)dang)曜zhun)的封裝(zhuang)。這些(xie)封裝(zhuang)包括SOT-23,SOIC,VSSOP和TSSOP封裝(zhuang)。 特性 用于成本敏感(gan)系統的工業(ye)dang)曜zhun)放大器 低輸(shu)入(ru)失調電壓︰±1 mV 共模電壓範圍(wei)包括接地 單位增益帶(dai)寬︰1 MHz 低寬帶(dai)噪聲︰40 nV /ˇ Hz < li>低tu)蔡 緦鰨0μA/Ch 單位增益穩(wen)定(ding) 工作電壓為2.7 V至5.5 V 提(ti)供單,雙和四通道變體 穩(wen)健的ESD規(gui)範︰2 kV HBM 擴展溫(wen)度範圍(wei)︰-40°C至125°C 所有商標均(jun)為其各自所有者的財(cai)產。 參(can)數 與其它產品相比?通用 運算放大器 ? Number of channels (#) Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=1...
發表于 01-08 17:51 ? 1022次(ci) 閱讀
LM324LV 4 通道行(xing)業(ye)��dang)曜��zhun)低電壓運算放大器

TLV9052 5MHz、15-V/?s 高轉(zhuan)換率 RRIO 運算放大器

TLV9051,TLV9052和TLV9054器件分zhi)鶚塹?  退腦慫惴糯篤鰲U廡xie)器件針(zhen)對(dui)1.8 V至5.5 V的低電壓工作進行(xing)了優化。輸(shu)入(ru)和輸(shu)出可以以非常高的壓擺率從軌到軌工作。這些(xie)器件非常適用于需(xu)要低壓工作,高壓擺率和低tu)蔡 緦韉某殺臼shou)限應用。這些(xie)應用包括大型電器和三相電機的控制。 TLV905x系列的容(rong)性負載驅(qu)動為200 pF,電阻性開(kai)環輸(shu)出阻抗(kang)gu)谷rong)性穩(wen)定(ding)更高,容(rong)性更高。 TLV905x系列易(yi)于使用,因為器件是統一的 - 增益穩(wen)定(ding),包括一個RFI和EMI濾波器,在過載條件下不會發生反相。 特性 高轉(zhuan)換率︰15 V /μs 低tu)蔡 緦鰨30μA 軌道-to-Rail輸(shu)入(ru)和輸(shu)出 低輸(shu)入(ru)失調電壓︰±0.33 mV 單位增益帶(dai)寬︰5 MHz 低寬帶(dai)噪聲︰15 nV /ˇ Hz 低輸(shu)入(ru)偏置電流︰2 pA Unity-Gain穩(wen)定(ding) 內(na)部RFI和EMI濾波器 適用于低成本應用的可擴展CMOS運算放大器系列 工作電壓低至1.8 V 由于電阻開(kai)環,電容(rong)負載更容(rong)易(yi)穩(wen)定(ding)輸(shu)出阻抗(kang) 擴展溫(wen)度範圍(wei)︰-40°C至125°C 所有商標均(jun)為其各自所有者的財(cai)產。 參(can)數 與其它產品相比?通用 運算放大器 ? Number of channels (#) Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=10) Total Supply Vo...
發表于 01-08 17:51 ? 239次(ci) 閱讀
TLV9052 5MHz、15-V/?s 高轉(zhuan)換率 RRIO 運算放大器

TMP422-EP 增強(qiang)型產品,具有 N 因數和串聯電阻校(xiao)正的 ±1°C 雙路(lu)遠程和本地溫(wen)度傳感(gan)器

TMP422是具有內(na)置本地溫(wen)度傳感(gan)器的遠程溫(wen)度傳感(gan)器監(jian)視器。遠程溫(wen)度傳感(gan)器具有二(er)極管連(lian)接的晶體管 - 通常是低成本,NPN-或者PNP - 類晶體管或者作為微控制器,微處理器,或者FPGA組(zu)成部分zhi)畝er)極管。 無需(xu)校(xiao)準(zhun),對(dui)多(duo)生產商的遠程精度是±1°C。這個2線串行(xing)接口接受(shou)SMBus寫字節(jie),讀字節(jie),發送字節(jie)和接收字節(jie)命(ming)令對(dui)此器件進行(xing)配置。 TMP422包括串聯電阻抵消,可編程非qiang)硐冑砸蜃櫻 蠓段wei)遠程溫(wen)度測量(高達(da)150℃),和tou)er)極管錯誤檢測。 TMP422采(cai)用SOT23-8封裝(zhuang)。 特性 SOT23-8封裝(zhuang) ±1°C遠程二(er)極管傳感(gan)器(最(zui)大值(zhi)) ±2.5°C本地溫(wen)度傳感(gan)器(最(zui)大值(zhi)) 串聯電阻抵消 n-因子校(xiao)正 兩線/SMBus串口 多(duo)重接口地址 二(er)極管故(gu)障檢測 RoHS兼(jian)容(rong)和無Sb /Br 參(can)數 與其它產品相比?數字溫(wen)度傳感(gan)器 ? Interface Local sensor accuracy (Max) (+/- C) Temp Resolution (Max) (bits) Operating temperature range (C) Supply Voltage (Min) (V) Supply Voltage (Max) (V) Supply Current (Max) (uA) Features Remote channels (#) Rating Package Group Package size: mm2:W x L (PKG) ? TMP422-...
發表于 01-08 17:51 ? 196次(ci) 閱讀
TMP422-EP 增強(qiang)型產品,具有 N 因數和串聯電阻校(xiao)正的 ±1°C 雙路(lu)遠程和本地溫(wen)度傳感(gan)器

LP8733-Q1 LP8733-Q1 雙路(lu)高電流降壓轉(zhuan)換器和雙路(lu)線性穩(wen)壓器

LP8733xx-Q1專為滿足的電源(yuan)管理要求(qiu)而設(she)計pi) 廡xie)處理器和平(ping)台(tai)用于汽車應用中(zhong)的閉環性能(neng)。該器件具有兩個可配置為單個兩相穩(wen)壓器或兩個單相穩(wen)壓器的降壓直(zhi)流/直(zhi)流轉(zhuan)換器和兩個線性穩(wen)壓器以yue)巴ㄓ檬質shu)出信號(hao)。該器件由I 2 C兼(jian)容(rong)串行(xing)接口和使能(neng)信號(hao)進行(xing)控制。 自動PWM /PFM(AUTO模式)操作與自動相位增加/減(jian)少相結合(he),可在較寬輸(shu)出電流範圍(wei)內(na)最(zui)大限度地提(ti)高效率.LP8733xx-Q1支持遠程電壓檢測(采(cai)用兩相配置的差分),可補償穩(wen)壓器輸(shu)出與負載點(POL)之間(jian)的IR壓降,從而提(ti)高輸(shu)出電壓的精度。此外,可以強(qiang)制開(kai)關(guan)時鐘(zhong)進入(ru)PWM模式以yue)敖 漵臚獠渴敝zhong)同步,從而最(zui)大限度地降低干擾。 LP8733xx-Q1器件支持可編程啟動和關(guan)斷延遲與排序(包括與使能(neng)信號(hao)同步的GPO信號(hao))。在啟動和電壓變化期間(jian),器件會對(dui)出轉(zhuan)換率進行(xing)控制pi) 佣zui)大限度地減(jian)小輸(shu)出電壓過沖和浪涌電流。 特性 具有符合(he) AEC-Q100 標準(zhun)的下列特性︰器件溫(wen)度 1 級︰-40℃ 至 +125℃ 的環境運行(xing)溫(wen)度範圍(wei)輸(shu)入(ru)電壓︰2.8V 至 5.5V兩個高效降壓直(zhi)流/直(zhi)流轉(zhuan)換器︰輸(shu)出電壓︰0.7V 至 3.36V最(zui)大輸(shu)出電流 3A/相采(cai)用兩相配置的自動相位增加/減(jian)少和強(qiang)制多(duo)相操作采(cai)用兩相配置的遠...
發表于 01-08 17:51 ? 247次(ci) 閱讀
LP8733-Q1 LP8733-Q1 雙路(lu)高電流降壓轉(zhuan)換器和雙路(lu)線性穩(wen)壓器

TPS3840 具有手(shou)動復ci)緩(huan)涂殺喑談次(ci)皇奔jian)延遲功能(neng)的毫微功耗高輸(shu)入(ru)電壓監(jian)控器

TPS3840系列電壓監(jian)控器或復ci)C可在高電壓下工作,同時在整個V DD 上保持非常低的靜態電流和溫(wen)度範圍(wei)。 TPS3840提(ti)供低功耗,高精度qun)偷痛 ?映俚淖zui)佳組(zu)合(he)(t p_HL =30μs典型值(zhi))。 當(dang)VDD上的電壓低于負電壓閾值(zhi)(V IT - )或手(shou)動復ci)煥 吐嘸  MR _L )。當(dang)V DD 上升到V IT - 加滯後(hou)(V IT + )和手(shou)動復ci)唬MR )時,復ci)恍藕hao)被清除)浮動或高于V MR _H ,復ci)皇奔jian)延遲(t D )到期。可以通過在CT引腳和地之間(jian)連(lian)接一個電容(rong)來編程復ci)謊郵薄(bo)6dui)于快速復ci)唬T引腳可以懸(xuan)空。 附加功能(neng)︰低上電復ci)壞繆梗 POR ), MR 和VDD的na)na)置線路(lu)抗(kang)擾度保護(hu),內(na)置遲滯,低開(kai)漏輸(shu)出漏電流(I LKG(OD))。 TPS3840是一款完(wan)美的電壓監(jian)測解決方案,適用于工業(ye)應用和電池(chi)供電/低功耗應用。 結果 結果 結果 結果 結果 結果 結果 結果 結果 結果 特性 寬工作電壓︰1.5 V至10 V 納米電源(yuan)電流︰350 nA(典型值(zhi)) 固定(ding)閾值(zhi)電壓(V IT - ) 閾值(zhi)從1.6 V到4.9 V,步長為0.1 V 高精度︰1%(典型值(zhi)) 內(na)置滯後(hou)(V IT + ) 1.6 V&lt; V IT - ≦3.1V= 100mV(典...
發表于 01-08 17:51 ? 425次(ci) 閱讀
TPS3840 具有手(shou)動復��ci)緩(huan)涂殺喑談次(ci)皇奔��jian)延遲功能(neng)的毫微功耗高輸(shu)入(ru)電壓監(jian)控器

INA240-SEP 采(cai)用mi)鑾qiang)型航天塑(su)料(liao)且具有增強(qiang)型 PWM 抑(yi)制功能(neng)的 80V、高/低側、零(ling)漂移電流檢測放大器

INA240-SEP器件是一款電壓gu)shu)出,電流檢測放大器,具有增強(qiang)的PWM反射功能(neng),能(neng)夠在寬共模電壓下檢測分流電阻上的壓降範圍(wei)為-4V至80V,與電源(yuan)電壓無關(guan)。負共模電壓允許器件在地下工作,適應典型電磁閥應用的反激時間(jian)。 EnhancedPWM抑(yi)制為使用脈沖寬度調mao)疲(pi)WM)信號(hao)的大型共模瞬變(ΔV/Δt)系統(如電機驅(qu)動和電磁閥控制系統)提(ti)供高水平(ping)的抑(yi)制。此功能(neng)可實現精確的電流測量,無需(xu)大的瞬態電壓和輸(shu)出電壓上的相關(guan)恢復ci)撇 該器件采(cai)用2.7 V至5.5 V單電源(yuan)供電,最(zui)大電源(yuan)電流為2.4 mA 。固定(ding)增益為20 V /V.零(ling)漂移架構的低失調允許電流檢測,分流器上的最(zui)大壓降低至10 mV滿量程。 特性 VID V62 /18615 抗(kang)輻射 單事件閂鎖(SEL)免(mian)疫43 MeV-cm 2 /mgat 125° ELDRS每次(ci)使用晶圓批次(ci)可達(da)30 krad(Si) TotalIonizing Dose(TID)RLAT至20krad(Si) 空間(jian)增強(qiang)塑(su)料(liao) 受(shou)控基(ji)線 金(jin)線 NiPdAu LeadFinish < /li> 一個裝(zhuang)配和測試(shi)現場 一個制造現場 可用于軍用(-55°C至125°C)溫(wen)度範圍(wei) ExtendedProduct生命(ming)周期 擴展產品更改(gai)通知(zhi) 產品可追溯性 用于低釋氣的增強(qiang)型模具化合(he)物 增強(qiang)型PWM抑(yi)制 出色...
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INA240-SEP 采(cai)用��mi)鑾��qiang)型航天塑(su)料(liao)且具有增強(qiang)型 PWM 抑(yi)制功能(neng)的 80V、高/低側、零(ling)漂移電流檢測放大器

LM96000 具有集成風扇控制的硬bu)jian)控器

LM96000硬bu)jian)視器具有與SMBus 2.0兼(jian)容(rong)的雙線數字接口。使用8位ΣΔADC,LM96000測量︰ 兩個遠程二(er)極管連(lian)接晶體管及(ji)其自身裸片的溫(wen)度 VCCP,2.5V,3.3 VSBY,5.0V和12V電源(yuan)(內(na)部定(ding)標電阻)。 為了song)柚梅縞人俁齲M96000有三個PWM輸(shu)出,每個輸(shu)出由三個溫(wen)度區域(yu)之一控制。支持高和低PWM頻率shi)段wei)。 LM96000包括一個數字濾波器,可調用該濾波器以平(ping)滑溫(wen)度讀數,從而更好(hao)地控制風扇速度。 LM96000有四個轉(zhuan)速計輸(shu)入(ru),用于測量風扇速度。包括所有測量值(zhi)的限制和狀態寄存器。 特性 符合(he)SMBus 2.0標準(zhun)的2線制串行(xing)數字接口 8位ΣΔADC 監(jian)控VCCP,2.5V,3.3 VSBY,5.0V和12V主(zhu)板(ban)/處理器電源(yuan) 監(jian)控2個遠程熱(re)二(er)極管 基(ji)于溫(wen)度讀數的可編程tao)災zhu)風扇控制 風扇控制溫(wen)度讀數的噪聲過濾 1.0°C數字溫(wen)度傳感(gan)器分zhi)媛3 PWM風扇速度控制輸(shu)出 提(ti)供高低PWM頻率shi)段wei) 4風扇轉(zhuan)速計輸(shu)入(ru) 監(jian)控5條VID控制線 24針(zhen)TSSOP封裝(zhuang) XOR-tree測試(shi)模式< /li> Key Specifications Voltage Measurement Accuracy ±2% FS (max) Resolution 8-bits, 1°C Temperature Sensor Accuracy ±3°C (max) Temperature ...
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LM96000 具有集成風扇控制的硬��bu)����jian)控器

LM63 具有集成風扇控制的準(zhun)確遠程二(er)極管數字溫(wen)度傳感(gan)器

LM63是一款帶(dai)集成風扇控制的遠程二(er)極管溫(wen)度傳感(gan)器。 LM63精確測量︰(1)自身溫(wen)度qun)停)二(er)極管連(lian)接的晶體管(如2N3904)或計算機處理器,圖形wei) 砥韉?yuan)(GPU)和其他(ta)ASIC上常見的熱(re)敏二(er)極管的溫(wen)度。 LM63遠程溫(wen)度傳感(gan)器的精度ri)?dui)串聯電阻和英特爾0.13μm奔騰4和移動奔騰4處理器-M熱(re)敏二(er)極管的1.0021非qiang)硐冑越xing)了工廠(chang)調整。 LM63有一個偏移寄存器,用于校(xiao)正由shan)淥ta)熱(re)二(er)極管的不同非qiang)硐胍蛩匾鸕奈蟛睢LM63還具有集成的脈沖寬度調mao)疲(pi)WM)開(kai)漏風扇控制輸(shu)出。風扇速度是遠程溫(wen)度讀數,查(cha)找表和寄存器設(she)置的組(zu)合(he)。 8步查(cha)找表使用戶(hu)能(neng)夠編程非線性風扇速度與溫(wen)度傳遞(di)函數,通常用于靜音聲學風扇噪聲。 特性 準(zhun)確感(gan)應板(ban)載大型處理器或ASIC上的二(er)極管連(lian)接2N3904晶體管或熱(re)二(er)極管 準(zhun)確感(gan)知(zhi)其自身溫(wen)度< /li> 針(zhen)對(dui)英特爾奔騰4和移動奔騰4處理器-M熱(re)二(er)極管的工廠(chang)調整 集成PWM風扇速度控制輸(shu)出 使用用戶(hu)可編程降低聲學風扇噪音8 -Step查(cha)找表 用于 ALERT 輸(shu)出或轉(zhuan)速計輸(shu)入(ru),功能(neng)的多(duo)功能(neng),用戶(hu)可選引腳 用于測量風扇RPM的轉(zhuan)速計輸(shu)入(ru)< /li> 用于測量典型應用中(zhong)脈沖寬度調mao)乒β實姆縞茸zhuan)速的Smart-Tach模式 偏移寄存器可針(zhen)對(dui)...
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LM63 具有集成風扇控制的準(zhun)確遠程二(er)極管數字溫(wen)度傳感(gan)器

AWR1843 集成 DSP、MCU 和雷達(da)加速器的 76GHz 至 81GHz 單芯片汽車雷達(da)傳感(gan)器

AWR1843器件是一款集成的單芯片FMCW雷達(da)傳感(gan)器,能(neng)夠在76至81 GHz頻段wen)na)工作。該器件采(cai)用TI的低功耗45納米RFCMOS工藝制造,可在極小的外形尺寸內(na)實現前(qian)所未(wei)有的集成度。 AWR1843是汽車領域(yu)低功耗,自yue)囁兀   防(fang)狀da)系統的理想解決方案。 AWR1843器件是一款獨立(li)的FMCW雷達(da)傳感(gan)器單芯片解決方案,可簡化在76至81 GHz頻段wen)na)實施汽車雷達(da)傳感(gan)器。它基(ji)于TI的低功耗45納米RFCMOS工藝,可實現具有內(na)置PLL和A2D轉(zhuan)換器的3TX,4RX系統的單片實現。它集成了DSP子系統,其中(zhong)包含TI的高性能(neng)C674x DSP,用于雷達(da)信號(hao)處理。該設(she)備包括BIST處理器子系統,負責無線電配置,控制和校(xiao)準(zhun)。此外,該器件還包括一個用戶(hu)可編程ARM R4F,用于汽車接口。硬bu)鈾倨髂?椋WA)可以執行(xing)雷達(da)處理,並可以幫(bang)助在DSP上保存MIPS以獲得更高級別的算法。簡單的編程模型更改(gai)可以實現各mao)執 gan)器實現(短,中(zhong),長),並且可以動態重新配置以實現多(duo)模傳感(gan)器。此外,該設(she)備作為完(wan)整的平(ping)台(tai)解決方案提(ti)供,包括參(can)考硬bu)she)計pi) ruan)件驅(qu)動程序,示例配置,API指gai)蝦陀沒hu)文(wen)檔。 特性 FMCW收發器 集成PLL,發送器,接收...
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AWR1843 集成 DSP、MCU 和雷達(da)加速器的 76GHz 至 81GHz 單芯片汽車雷達(da)傳感(gan)器

OPA4388 10MHz、CMOS、零(ling)漂移、零(ling)交叉、真(zhen) RRIO 精密(mi)運算放大器

OPAx388(OPA388,OPA2388和OPA4388)系列高精度運算放大器是超低噪聲,快速穩(wen)定(ding),零(ling)漂移pi) ling)交叉器件,可實現軌到軌輸(shu)入(ru)和輸(shu)出運行(xing)。這些(xie)特性yue)壩乓旖渙饜閱neng)與僅為0.25μV的偏移電壓以yue).005μV/°C的溫(wen)度漂移相結合(he),使OPAx388成為驅(qu)動高精度模數轉(zhuan)換器(ADC)或緩(huan)沖高分zhi)媛適Wzhuan)換器(DAC)輸(shu)出的理想選擇(ze)。該設(she)計可在驅(qu)動模數轉(zhuan)換器(ADC)的過程中(zhong)實現zhong)乓煨閱neng),不會降低線性度.OPA388(單通道版本)提(ti)供VSSOP-8,SOT23 -5和SOIC-8三種封裝(zhuang).OPA2388(雙通道版本)提(ti)供VSSOP-8和SO-8兩種封裝(zhuang).OPA4388(四通道版本)提(ti)供TSSOP-14和SO-14兩種封裝(zhuang)。上述所有版本在-40°C至+ 125°C擴展工業(ye)溫(wen)度範圍(wei)內(na)額定(ding)運行(xing)。 特性 超低偏移電壓︰±0.25μV 零(ling)漂移pi)骸.005μV/°C 零(ling)交叉︰140dB CMRR實際(ji)RRIO 低噪聲︰1kHz時為7.0nV /ˇ Hz 無1 /f噪聲︰140nV < sub> PP (0.1Hz至10Hz) 快速穩(wen)定(ding)︰2μs(1V至0.01%) 增益帶(dai)寬︰10MHz 單電源(yuan)︰2.5V至5.5V 雙電源(yuan)︰±1.25V至±2.75V 真(zhen)實軌到軌輸(shu)入(ru)和輸(shu)出 已濾除電磁干擾( EMI)/射頻干擾(RFI)的輸(shu)入(ru) 行(xing)業(ye)dang)..
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OPA4388 10MHz、CMOS、零(ling)漂移、零(ling)交叉、真(zhen) RRIO 精密(mi)運算放大器

www.69998.cc【周周彩金】www.md338.comTLV2314-Q1 3MHz、低功耗、內(na)置 EMI 濾波器的 RRIO 運算放大器

TLVx314-Q1系列單通道,雙通道和四通道運算放大器是qie)亂淮凸 模 ㄓ迷(mi)慫惴糯篤韉牡湫痛懟8孟盜釁骷哂泄斕焦焓shu)入(ru)和輸(shu)出(RRIO)擺幅,低tu)蔡 緦鰨V時典型值(zhi)為150μA),3MHz高帶(dai)寬等特性,非常適用于需(xu)要在成本與性能(neng)間(jian)實現良好(hao)平(ping)衡的各類電池(chi)供電型應用。 TLVx314-Q1系列可實現1pA低輸(shu)入(ru)偏置電流,是高阻抗(kang)傳感(gan)器的理想選擇(ze)。 TLVx314-Q1器件采(cai)用穩(wen)健耐用的設(she)計pi) 獎愕緶lu)設(she)計人員bi)褂謾8悶骷哂械?輝 嫖wen)定(ding)性,支持軌到軌輸(shu)入(ru)和輸(shu)出(RRIO),容(rong)性負載高達(da)300PF,集成RF和EMI抑(yi)制濾波器,在過驅(qu)條件下不會出現反相並且具有高靜電放電(ESD)保護(hu)(4kV人體模型(HBM))。 此類器件經過優化,適合(he)在1.8V(±0.9V)至5.5V(±2.75V)的低電壓狀態下工作並可在-40°C至+ 125°C的擴展工業(ye)溫(wen)度範圍(wei)內(na)額定(ding)運行(xing)。 TLV314-Q1(單通道)采(cai)用5引腳SC70和小外形尺寸晶體管(SOT)-23封裝(zhuang).TLV2314-Q1(雙通道版本)采(cai)用8引腳小外形尺寸集成電路(lu)(SOIC)封裝(zhuang)和超薄(bo)外形尺寸(VSSOP)封裝(zhuang)。四通道TLV4314-Q1采(cai)用14引腳薄(bo)型小外形尺寸(TSSOP)封裝(zhuang)。 特性 符合(he)汽車類應用的要求(qiu) 具...
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TLV2314-Q1 3MHz、低功耗、內(na)置 EMI 濾波器的 RRIO 運算放大器

DRV5021 2.5V 至 5.5V 霍(huo)爾效應單極開(kai)關(guan)

DRV5021器件是一款用于高速應用的低壓gu)摯kai)關(guan)霍(huo)爾效應傳感(gan)器。該器件采(cai)用2.5V至5.5V電源(yuan)工作,可檢測磁通密(mi)度,並根據預(yu)定(ding)義(yi)的磁閾值(zhi)提(ti)供數字輸(shu)出。 該器件檢測垂(chui)直(zhi)于封裝(zhuang)面的磁場。當(dang)bi)┘擁拇磐 mi)度超過磁操作點(B OP )閾值(zhi)時,器件的漏極開(kai)路(lu)輸(shu)出驅(qu)動低電壓。當(dang)磁通密(mi)度降低到小于磁釋放點(B RP )閾值(zhi)時,輸(shu)出變為高阻抗(kang)。由B OP 和B RP 分離產生的滯後(hou)有助于防(fang)止gu)shu)入(ru)噪聲引起的輸(shu)出誤差。這種配置使系統設(she)計更加強(qiang)大,可抵抗(kang)噪聲干擾。 該器件可在-40°C至+ 125°C的寬環境溫(wen)度範圍(wei)內(na)始終如一地工作。 特性 數字zhi)? kai)關(guan)霍(huo)爾傳感(gan)器 2.5 V至5.5 V工作電壓V CC 範圍(wei) 磁敏感(gan)度選項(B OP ,B RP )︰ DRV5021A1︰2.9 mT,1.8 mT DRV5021A2︰9.2 mT,7.0 mT DRV5021A3︰17.9 mT,14.1 mT 快速30-kHz感(gan)應帶(dai)寬 開(kai)漏輸(shu)出能(neng)夠達(da)到20 mA 優化的低壓架構 集成滯後(hou)以增強(qiang)抗(kang)噪能(neng)力 工作溫(wen)度範圍(wei)︰-40° C至+ 125°C 標準(zhun)工業(ye)封裝(zhuang)︰ 表面貼裝(zhuang)SOT-23 所有商標均(jun)為其各自所有者的財(cai)產。 參(can)數 與其它產品相比?霍(huo)爾效應鎖存器和開(kai)關(guan) ? Type Supply Voltage (Vcc) (Min) (V...
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DRV5021 2.5V 至 5.5V 霍(huo)爾效應單極開(kai)關(guan)

TLV1805-Q1 具有關(guan)斷功能(neng)的 40V 微功耗推挽式汽車類高電壓比較器

TLV1805-Q1高壓比較器提(ti)供寬電源(yuan)範圍(wei),推挽輸(shu)出,軌到軌輸(shu)入(ru),低tu)蔡 緦鰨 guan)斷的獨特組(zu)合(he)和快速輸(shu)出響應。所有這些(xie)特性使該比較器非常適合(he)需(xu)要檢測正或負電壓軌的應用,如智能(neng)二(er)極管控制器的反向電流保護(hu),過流檢測和過壓保護(hu)電路(lu),其中(zhong)推挽輸(shu)出級用于驅(qu)動柵極p溝道或n溝道MOSFET開(kai)關(guan)。 高峰值(zhi)電流推挽輸(shu)出級是高壓比較器的獨特之處,它具有允許輸(shu)出主(zhu)動驅(qu)動負載到電源(yuan)軌的優勢具有快速邊緣速率。這在MOSFET開(kai)關(guan)需(xu)要被驅(qu)動為高或低以便將主(zhu)機與意外高壓電源(yuan)連(lian)接或斷開(kai)的應用中(zhong)尤其有價值(zhi)。低輸(shu)入(ru)失調電壓,低輸(shu)入(ru)偏置電流和高阻態關(guan)斷等附加功能(neng)使TLV1805-Q1足夠靈活,可以yuan) 砑負躒ren)何(he)應用,從簡單的電壓檢測到驅(qu)動單個繼電器。 TLV1805-Q1符合(he)AEC-Q100標準(zhun),采(cai)用6引腳SOT-23封裝(zhuang),額定(ding)工作溫(wen)度範圍(wei)為-40°C至+ 125°C。 特性 AEC-Q100符合(he)以下結果︰ DeviceTemperature 1級︰-40°C至+ 125°C環境溫(wen)度工作溫(wen)度 器件HBMESD分類等級2 器件CDM ESD分類等級C4A 3.3 V至40 V電源(yuan)範圍(wei) 低tu)蔡 緦鰨好(hao)扛霰冉掀50μA 兩個導軌以外的輸(shu)入(ru)共模範圍(wei) 相位反轉(zhuan)保護(hu) 推 - 拉輸(shu)出 250ns傳播延遲 低輸(shu)入(ru)失...
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TLV1805-Q1 具有關(guan)斷功能(neng)的 40V 微功耗推挽式汽車類高電壓比較器

TMP461-SP 耐輻射 (RHA) 高精度遠程和本地溫(wen)度傳感(gan)器

這個遠程溫(wen)度傳感(gan)器通常采(cai)用低成本分立(li)式NPN或PNP晶體管,或者基(ji)板(ban)熱(re)晶體管/二(er)極管,這些(xie)器件都ji)俏  砥鰨 Jzhuan)換器(ADC),數模轉(zhuan)換器(DAC),微控制器或現場可編程tang)耪zhen)列xiao)PGA)中(zhong)不可或缺的部件。本地和遠程傳感(gan)器均(jun)用12位數字zhi)嗦氡硎疚wen)度,分zhi)媛飾.0625°C。此兩線制串口接受(shou)SMBus通信協議,以yue)岸duo)達(da)9個不同的引腳可編程地址。 該器件將諸如串聯電阻抵消,可編程非qiang)硐冑砸蜃櫻 且蜃櫻  殺喑唐 疲(pi) 殺喑濤wen)度ren)拗坪涂殺喑淌致瞬ㄆ韉雀嘸短匭醞wan)美結合(he),提(ti)供了一套(tao)準(zhun)確度qun)涂kang)擾度更高且穩(wen)健耐用的溫(wen)度監(jian)控解決方案。 TMP461-SP是在各mao)址植bu)ji)揭2庥τ彌zhong)進行(xing)多(duo)位置高精度ren)wen)度測量的理想選擇(ze)這類集成式本地和遠程溫(wen)度傳感(gan)器可提(ti)供一種簡單的方法來測量溫(wen)度梯度,進而簡化了航天器維(wei)護(hu)活動。該器件的額定(ding)電源(yuan)電壓範圍(wei)為1.7V至3.6V,額定(ding)工作溫(wen)度範圍(wei)為-55 °C至125°C。 特性 符合(he)QMLV標準(zhun)︰5962-1721801VXC 熱(re)增強(qiang)型HKU封裝(zhuang) 經測試(shi),在50rad /s的高劑量率(HDR)下,可抵抗(kang)高達(da)50krad(Si)的電離輻射總劑量(TID) 經測試(shi),在10mrad /s的低劑量率(LDR)下,可抵抗(kang)高達(da)100krad(Si)的電離輻射...
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TMP461-SP 耐輻射 (RHA) 高精度遠程和本地溫(wen)度傳感(gan)器

LP87524P-Q1 用于 AWR 和 IWR MMIC 的四個 4MHz 降壓轉(zhuan)換器

LP87524B /J /P-Q1旨在滿足各mao)制檔繚yuan)應用中(zhong)最(zui)新處理器和平(ping)台(tai)的電源(yuan)管理要求(qiu)。該器件包含四個降壓DC-DC轉(zhuan)換器內(na)核,配置為4個單相輸(shu)出。該器件由I 2 C兼(jian)容(rong)串行(xing)接口和enableignals控制。 自動PFM /PWM(自動模式)操作可在寬輸(shu)出電流範圍(wei)內(na)最(zui)大限度地提(ti)高效率。 LP87524B /J /P-Q1支持遠程電壓檢測,以補償穩(wen)壓器輸(shu)出和負載點(POL)之間(jian)的IR壓降,從而提(ti)高輸(shu)出電壓的精度。此外,開(kai)關(guan)時鐘(zhong)可以強(qiang)制為PWM模式,也可以za)臚獠渴敝zhong)同步,以最(zui)大限度地減(jian)少干擾。 LP87524B /J /P-Q1器件支持負載電流測量,無需(xu)增加外部電流檢測電阻器。此外,LP87524B /J /P-Q1還支持可編程的啟動和關(guan)閉延遲以yue)壩冑藕hao)同步的序列。這些(xie)序列還可以包括GPIO信號(hao),以控制外部穩(wen)壓器,負載開(kai)關(guan)和處理器復ci)弧T諂舳 偷繆貢浠 詡jian),器件控制輸(shu)出壓擺率,以最(zui)大限度地減(jian)少輸(shu)出電壓過沖和浪涌電流。 特性 符合(he)汽車應用要求(qiu) AEC-Q100符合(he)以下結果︰ 設(she)備溫(wen)度等級1︰-40°C至+ 125°C環境工作溫(wen)度 輸(shu)入(ru)電壓︰2.8 V至5.5 V 輸(shu)出電壓︰0.6 V至3.36 V 四個高效降壓型DC-DC轉(zhuan)換器內(na)核︰ 總輸(shu)出電流高達(da)10 A 輸(shu)出電壓漏電率...
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LP87524P-Q1 用于 AWR 和 IWR MMIC 的四個 4MHz 降壓轉(zhuan)換器

www.6082.com【即存即送】www.0865.comTAS2562 具有揚聲器 IV 檢測功能(neng)的數字輸(shu)入(ru)單聲道 D 類音頻放大器

TAS2562是一款數字輸(shu)入(ru)D類音頻放大器,經過優化,能(neng)夠有xing)?亟 叻逯zhi)功率驅(qu)動到小型揚聲器應用中(zhong)。 D類放大器能(neng)夠在電壓為3.6 V的情況(kuang)下向6.1負載提(ti)供6.1 W的峰值(zhi)功率。 集成揚聲器電壓和電流檢測可實現對(dui)揚聲器的實時監(jian)控。這允許在將揚聲器保持在安全(quan)操作區域(yu)的同時推動峰值(zhi)SPL。具有防(fang)止掉電的電池(chi)跟蹤峰值(zhi)電壓限制器可優化整個充電周期內(na)的放大器裕量,防(fang)止系統關(guan)閉。 I 2 S /TDM + I中(zhong)最(zui)多(duo)可有四個器件共用一個公共總線 2 C接口。 TAS2562器件采(cai)用36球,0.4 mm間(jian)距CSP封裝(zhuang),尺寸緊湊。 高性能(neng)D類放大器 6.1 W 1%THD + N(3.6 V時4Ω) 5 W 1%THD + N(在3.6 V時為8Ω) 15μVrmsA加權(quan)空閑xing)諾澇 112.5dB SNR為1%THD + N(8Ω) 100dB PSRR,200 mV PP 紋波頻率為20 - 20 kHz 83.5%效率為1 W (8Ω,VBAT = 4.2V) &lt; 1μAHW關(guan)斷VBAT電流 揚聲器電壓和電流檢測 VBAT跟蹤峰值(zhi)電壓限制器,具有欠(qian)壓預(yu)防(fang) 8 kHz至192 kHz采(cai)樣率 靈活的用戶(hu)界(jie)面 I 2 S /TDM︰8通道(32位/96 kHz) I 2 < /sup> C︰4個可選擇(ze)的地址 MCLK免(mian)費操作 低流行(xing)並點...
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TAS2562 具有揚聲器 IV 檢測功能(neng)的數字輸(shu)入(ru)單聲道 D 類音頻放大器

LM358B 雙路(lu)運算放大器

LM358B和LM2904B器件是業(ye)界(jie)標準(zhun)的LM358和LM2904器件的下一代版本,包括兩個高壓(36V)操作放大器(運算放大器)。這些(xie)器件為成本敏感(gan)xing)陀τ錳ti)供了卓(zhuo)越的價值(zhi),具有低失調(300μV,典型值(zhi)),共模輸(shu)入(ru)接地範圍(wei)和高差分輸(shu)入(ru)電壓能(neng)力等特點。 LM358B和LM2904B器件簡化電路(lu)設(she)計具有增強(qiang)穩(wen)定(ding)性,3 mV(室溫(wen)下最(zui)大)的低偏移電壓和300μA(典型值(zhi))的低tu)蔡 緦韉仍鑾qiang)kang)δneng)。 LM358B和LM2904B器件具有高ESD(2 kV,HBM)和集成的EMI和RF濾波器,可用于最(zui)堅(jian)固,極具環境挑戰性的應用。 LM358B和LM2904B器件采(cai)用微型封裝(zhuang),例如TSOT-8和WSON,以yue)靶xing)業(ye)dang)曜zhun)封裝(zhuang),包括SOIC,TSSOP和VSSOP。 特性 3 V至36 V的寬電源(yuan)範圍(wei)(B版) 供應 - 電流為300μA(B版,典型值(zhi)) 1.2 MHz的單位增益帶(dai)寬(B版) 普通 - 模式輸(shu)入(ru)電壓範圍(wei)包括接地,使能(neng)接地直(zhi)接接地 25°C時低輸(shu)入(ru)偏移電壓3 mV(A和B型號(hao),最(zui)大值(zhi)) 內(na)部RF和EMI濾波器(B版) 在符合(he)MIL-PRF-38535的產品上,除非另有說明,否(fu)則所有參(can)數均(jun)經過測試(shi)。在所有其他(ta)產品上,生產加工不一huan) ㄋ脅can)數的測試(shi)。 所...
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LM358B 雙路(lu)運算放大器

www.1115.com【即存即送】www.791h.ccLP87565-Q1 具有集成開(kai)關(guan)的四相 8A + 8A 降壓轉(zhuan)換器

LP8756x-Q1器件專為滿足各mao)制檔繚yuan)應用中(zhong)最(zui)新處理器和平(ping)台(tai)的電源(yuan)管理要求(qiu)而設(she)計。該器件包含四個降壓直(zhi)流/直(zhi)流轉(zhuan)換器內(na)核,這些(xie)內(na)核可配置為1個四相輸(shu)出,1個三相和1個單相輸(shu)出,2個兩相輸(shu)出,1個兩相和2個單相輸(shu)出,或者4個單相輸(shu)出。該器件由I 2 C兼(jian)容(rong)串行(xing)接口和使能(neng)信號(hao)進行(xing)控制。 自動脈寬調mao)疲(pi)WM)到脈頻調mao)疲(pi)FM)操作( AUTO模式)與自動增相和切(qie)相相結合(he),可在較寬輸(shu)出電流範圍(wei)內(na)最(zui)大限度地提(ti)高效率.LP8756x-Q1支持對(dui)多(duo)相位輸(shu)出的遠程差分zhi)繆辜觳猓 剎鉤?wen)壓器輸(shu)出與負載點(POL)之間(jian)的IR壓降,從而提(ti)高輸(shu)出電壓的精度。此外,可以強(qiang)制開(kai)關(guan)時鐘(zhong)進入(ru)PWM模式以yue)敖 漵臚獠渴敝zhong)同步,從而最(zui)大限度地降低干擾。 LP8756x- Q1器件支持在不添加外部電流檢測電阻器的情況(kuang)下進行(xing)負載電這個序列可能(neng)包括用于控制外部穩(wen)壓器,負載開(kai)關(guan)和處理器復ci)壞PIO信號(hao)。在啟動和電壓變化期間(jian),該器件會對(dui)輸(shu)出壓擺率進行(xing)控制pi) 佣zui)大限度地減(jian)小輸(shu)出電壓過沖和浪涌電流。 特性 符合(he)汽車類標準(zhun) 具有符合(he)AEC-Q100標準(zhun)的下列特性︰ 器件溫(wen)度1級︰-40℃至+ 125℃的環境運行(xing)溫(wen)度範圍(wei) 器件HBM ESD分類等級2 器件CDM ES...
發表于 01-08 17:51 ? 239次(ci) 閱讀
LP87565-Q1 具有集成開(kai)關(guan)的四相 8A + 8A 降壓轉(zhuan)換器

LM2902LV 行(xing)業(ye)dang)曜zhun)、低電壓放大器

LM290xLV系列包括雙路(lu)LM2904LV和四路(lu)LM2902LV運算放大器。這些(xie)器件由2.7V至5.5V的低電壓供電。 這些(xie)運算放大器可以替代低電壓應用中(zhong)的成本敏感(gan)xing)M2904和LM2902。有xing)┬τ檬譴笮偷縉鰨 yan)霧探測器和個人電子產品.LM290xLV器件在低電壓下可提(ti)供比LM290x器件更佳的性能(neng),並且功能(neng)耗盡。這些(xie)運算放大器具有單位增益穩(wen)定(ding)性,並且在過驅(qu)情況(kuang)下不會出現相位反轉(zhuan).ESD設(she)計為LM290xLV系列提(ti)供了至少2kV的HBM規(gui)格。 LM290xLV系列采(cai)用行(xing)業(ye)dang)曜zhun)封裝(zhuang)。這些(xie)封裝(zhuang)包括SOIC,VSSOP和TSSOP封裝(zhuang)。 特性 適用于成本敏感(gan)xing)拖低車墓?ye)dang)曜zhun)放大器 低輸(shu)入(ru)失調電壓︰±1mV < LI>共模電壓範圍(wei)包括接地 單位增益帶(dai)寬︰1MHz的 低寬帶(dai)噪聲︰40nV /ˇ赫茲(zi) 低tu)蔡 緦鰨0μA/通道 單位增益穩(wen)定(ding) 可在2.7V至5.5V的電源(yuan)電壓下運行(xing) 提(ti)供雙通道和四通道型號(hao)< /li> 嚴格的ESD規(gui)格︰2kV HBM 擴展溫(wen)度範圍(wei)︰-40°C至125°C 所有商標均(jun)為各自所有者的財(cai)產。 參(can)數 與其它產品相比?通用 運算放大器 ? Number of channels (#) Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=10) Total Supply Voltage (Max) (+5V...
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LM2902LV 行(xing)業(ye)��dang)曜��zhun)、低電壓放大器

LP87561-Q1 具有集成開(kai)關(guan)的四相 16A 降壓轉(zhuan)換器

LP8756x-Q1器件專為滿足各mao)制檔繚yuan)應用中(zhong)最(zui)新處理器和平(ping)台(tai)的電源(yuan)管理要求(qiu)而設(she)計。該器件包含四個降壓直(zhi)流/直(zhi)流轉(zhuan)換器內(na)核,這些(xie)內(na)核可配置為1個四相輸(shu)出,1個三相和1個單相輸(shu)出,2個兩相輸(shu)出,1個兩相和2個單相輸(shu)出,或者4個單相輸(shu)出。該器件由I 2 C兼(jian)容(rong)串行(xing)接口和使能(neng)信號(hao)進行(xing)控制。 自動脈寬調mao)疲(pi)WM)到脈頻調mao)疲(pi)FM)操作( AUTO模式)與自動增相和切(qie)相相結合(he),可在較寬輸(shu)出電流範圍(wei)內(na)最(zui)大限度地提(ti)高效率.LP8756x-Q1支持對(dui)多(duo)相位輸(shu)出的遠程差分zhi)繆辜觳猓 剎鉤?wen)壓器輸(shu)出與負載點(POL)之間(jian)的IR壓降,從而提(ti)高輸(shu)出電壓的精度。此外,可以強(qiang)制開(kai)關(guan)時鐘(zhong)進入(ru)PWM模式以yue)敖 漵臚獠渴敝zhong)同步,從而最(zui)大限度地降低干擾。 LP8756x- Q1器件支持在不添加外部電流檢測電阻器的情況(kuang)下進行(xing)負載電這個序列可能(neng)包括用于控制外部穩(wen)壓器,負載開(kai)關(guan)和處理器復ci)壞PIO信號(hao)。在啟動和電壓變化期間(jian),該器件會對(dui)輸(shu)出壓擺率進行(xing)控制pi) 佣zui)大限度地減(jian)小輸(shu)出電壓過沖和浪涌電流。 特性 符合(he)汽車類標準(zhun) 具有符合(he)AEC-Q100標準(zhun)的下列特性︰ 器件溫(wen)度1級︰-40℃至+ 125℃的環境運行(xing)溫(wen)度範圍(wei) 器件HBM ESD分類等級2 器件CDM ES...
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LP87561-Q1 具有集成開(kai)關(guan)的四相 16A 降壓轉(zhuan)換器
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